威兆半导体推出的VS4401AKH是一款面向 40V 低压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 封装，适配低压大电流 DC/DC 转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.45mΩ，低压场景下传导损耗近乎极致；
- 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
- 结温约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：260A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)时保持260A；
- 环境温约束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：91A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)时降额为51A；
- 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：1041A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时超大电流需求。
二、核心特性
- 极致低导通电阻：0.45mΩ 阻性表现，大幅降低低压大电流场景的传导损耗；
- VeriMOS® II 技术：实现快速开关特性与高能量转换效率，兼顾功率密度与可靠性；
- 高可靠性：通过 100% 雪崩测试与 100% Rg 测试，单脉冲雪崩能量达 3660mJ，抗冲击能力极强；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
40 | V |
| 栅源极电压 | \(V_{GS}\) |
±20 | V |
| 二极管连续正向电流 | \(I_S\) |
260 | A |
| 连续漏极电流（结温约束） | \(I_D\) |
\(T_c=25^\circ\text{C}/100^\circ\text{C}\): 260 |
A |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) |
1041 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | \(E_{AS}\) |
3660 | mJ |
| 最大功耗（结温约束） | \(P_D\) |
250 | W |
| 结 - 壳热阻（Typ/Max） | \(R_{thJC}\) |
0.34 / 0.41 | ℃/W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{STG}\) |
-55~+175 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：TOLL 表面贴装封装，包装规格为 2000pcs / 卷，适配高密度、高功率密度的电路板设计；
- 典型应用：
- 40V 级低压超大电流 DC/DC 转换器主开关管；
- 高功率电源管理系统的功率开关；
- 工业设备、储能系统的超大电流负载通断控制。
五、信息来源
威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）
